Ein erstes Presse-Rendering zum Galaxy S8. Nun gibt es bereits Benchmarks zum S8+.

Foto: Samsung

Ende des Monats ist mit Samsungs neuestem Smartphone-Topmodell, dem Galaxy S8 zu rechnen. Allzu viele Neuigkeiten darf man sich von dem offiziellen Event aber nicht erwarten, da bereits im Vorfeld etliche Infos zu dem Gerät entwischt sind. Neben Fotos und Presse-Renderings gibt es nun auch erste Tests zur Leistung des Smartphones. Diese sind recht vielversprechend, wie die Benchmark-Spezialisten von Geekbench herausgefunden haben.

Überragender Snapdragon 835

Für das Galaxy S8+ weisen die Experten absolute Topwerte aus, die fast alle verfügbaren Smartphones toppen. Bei der Single-Core-Performance erreicht das S8+ 1929 Punkte, das Multi-Core-Ergebnis liegt bei 6084 Punkten. Hauptverantwortlich für diese starken Werte ist Qualcomms neuester Top-Prozessor, der Snapdragon 835. Die Taktfrequenz gibt Geekbench bei 1,9 GHz an, wobei der Maximal-Wert bei 2,45 GHz liegt.

Nur das iPhone 7 Plus ist besser

Im Vergleich zum Vorgänger-Modell hat Samsung ordentlich nachgezogen. Das S7 kam bei der Single-Core-Performance noch auf 1786 Punkte und beim Multi-Core-Ergebnis konnten die Südkoreaner 5209 Punkte erzielen. Nur ein Smartphone kann das S8 momentan ausstechen und zwar das iPhone 7 Plus. Bei der Single-Core-Performance erreicht das Apple-Gerät hervorragende 3305 Punkte. Beim Multi-Core-Ergebnis kann sich das Samsung-Handy allerdings absetzen, da das iPhone 7 Plus hier nur auf 5405 Punkte kommt.

Galaxy S8 mit Hochspannung erwartet

Insgesamt versprechen die Werte also eine ordentliche Performance, allerdings sei dazugesagt, dass der Nutzer keinen wirklichen Unterschied zwischen dem S7 und S8 ausmachen wird. Trotzdem wird das Galaxy S8 mit Hochspannung erwartet – nicht zuletzt aufgrund des Akku-Fiaskos beim Note 7. (red, 04.03.2017)